11月22日，在综改示范区中国电科(山西)三代半导体技术创新中心建设现场，两栋钢结构建筑拔地而起。经过全体施工者百日会战，主体结构顺利封顶。
“从今年8月12日进场施工以来，建筑面积1.7万平方米的东区A05三代半导体技术创新中心试验验证中心和建筑面积5000平方米的A10综合库房，仅用3个多月时间就完成了主体结构建设，开始进行墙面金属围护结构的安装及内部防火涂料喷涂施工等。”建设单位十一科技现场施工负责人介绍，项目部在做好安全生产的前提下，针对冬季施工实际情况，为100多名奋战在东西两区建设现场的工人做好后勤保障，为室外作业人员配备御寒装备，确保项目顺利推进。
中国电科(山西)三代半导体技术创新中心位于综改示范区潇河新兴产业园区，由中国电科二所负责实施。包括东区占地面积203亩的三代半导体技术创新中心试验验证线及配套项目、西区占地面积312亩的微电子智能制造产业基地项目，计划总投资12.7亿元，分两期建设。一期项目建成后，具备年产600台每套智能制造装备、2.4万片每年陶瓷基板和电路模块的能力，建成6英寸宽禁带半导体制造装备工艺验证平台和共性技术研发平台。
中国电科二所现场负责人介绍，中国电科(山西)三代半导体技术创新中心项目得到了综改示范区的大力支持，党工委、管委会主要负责同志多次深入现场协调解决问题，潇河新兴园区成立中电科项目工作专班，开展专项入企服务，加速推动了项目实施。项目部将严格按照时间节点，加快项目建设，推动项目在明年6月底建成。